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英飞凌推出采尺度至无铅封装的汽车电源的MOSFET

英飞凌推出采尺度至无铅封装的汽车电源的MOSFET

作者:netwing    公布>###nbsp;   欣赏次数:

英飞凌宣布推出接纳TO无铅封装的汽车电源的MOSFET的系列产品新型40V的OptiMOS™T2的MOSFET TO - 262以及T2系列产品的量产已预备停当。

英飞凌的MOSFET的新系列产品逾越了现� 薘oHS指令关于含铅焊锡封装的标准,更严厉的ELV切合RoHS尺度大概将于2014年实施,届时将要求接纳完全无铅的封装方法。作为业界首款无铅封装MOSFET的,英飞凌的新产品让客户满意更严厉的要求。

英飞凌推出至无铅封装的汽车电源的MOSFET的新型40V的OptiMOS™T2的MOSFET

英飞凌汽车电子奇迹处尺度电源产品副总裁暨总司理弗兰克Schwertlein且切合RoHS环保之MOSFET,帮忙客户开辟节能的“绿色”产品。

英飞凌专利的无铅黏晶(芯片粘接) 175μm),为功率半导体提供多项改进:

· 环保的技能:不利用线索及其他有毒物质。

· 分散焊接黏晶技能联合薄晶圆制程:大幅低落封装的导通电阻值的RDS(on)。

· 热阻(RthJC)改进率高达40 - 50%:传统的软线索焊料的热传导才能欠安,拦阻了MOSFET的接面之散热。

· 其他好处还包罗:由于没有焊锡流量迹(出血)及晶片倾斜(芯片tiltness)的题目,以及更收敛的RDS(ON)与RthJC

重新款的OptiMOS T2 40V(如:IPB160N04S4 - 02D,160A)的规格产品得知,其RDS(ON)仅2.0mΩ且RthJC仅0.9K / W相较于利用尺度线索焊接的同类产品,其导通电阻低落了约20%的OptiMOS T2的产品拥有同级产品中最佳效能。

上市工夫

OtpiMOS T2为业界率先接纳至无铅封装的车用电源的MOSFET的,系列产品包罗IPB160N04S4 - 02D(160A,TO - 263封装),IPB100N04S4 - 02D(100A,TO - 263),IPP100N04S4 - 03D(100A,TO - 220 )以及IPI100N04S4 - 03D(100A,TO - 262)皆已上市。

本文泉源:国际电子商情网

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